中山大学宽禁带半导体材料与器件工程技术研究中心2020年招聘博士后

　　发布时间：2020-04-29

　　截止日期：详见正文

　　工作地点：广州

　　招聘人数：若干

　　报名方式：电子邮件

　　需求学科（供参考）：电子科技 物理学 材料科学与工程

　　一、研究方向

　　氧化镓超宽禁带半导体电力电子器件关键技术研究

　　氧化物半导体可穿戴电子器件关键技术研究

　　二、应聘条件（博士后2-3名）

　　1.具有微电子与固态电子学、应用物理、材料等博士学位；

　　2.有兴趣从事宽禁带氧化物半导体材料、器件工艺、芯片研发工作；

　　3.具有扎实的专业基础、丰富的实验经验、严谨的科学素养、独立开展科研和撰写科研论文的能力；在国际期刊以第一作者身份发表过高水平科研论文；

　　4.善于沟通，工作认真，责任心强，动手能力强并具有团队合作精神；

　　5.年龄35周岁以下；获得博士学位一般不超过3年；

　　三、福利待遇

　　1）博士后基础年薪40万；

　　2）根据具体科研工作业绩提供相应的科研绩效奖励；

　　3）研究中心为博士后提供科研经费支持、以及优良的工作和办公环境；

　　4）研究中心为博士后提供学术交流资费；

　　5）研究中心全力支持博士后作为负责人申请博士后科学基金、国家自然科学基金以及广东省各级课题；

　　6）符合中山大学高层次引进人才要求的优秀人才，将推荐为中山大学百人计划引进人才候选人；

　　四、联系方式

　　本招聘广告长期有效，有意请将申请材料（个人简历和代表性论文）发至裴艳丽教授电子邮箱（peiyanli@mail.sysu.edu.cn），发信请注明“宽禁带半导体材料与器件工程技术研究中心应聘”。

　　五、研究中心简介

　　研究中心瞄准国际最新科学前沿和关键科学技术问题，开展宽禁带半导体材料与器件的先导性基础研究和应用层面的技术研究，并建设开放、支撑产业发展的产学研合作平台，面向国家和产业重大需求，整合全球资源，为民族工业提供产业化关键技术。研究中心依托于中山大学光电材料与技术国家重点实验室，针对电力电子领域，展开宽禁带氧化物半导体、氮化物半导体的外延生长、高频、大功率芯片加工工艺、封装等新原理及新技术开拓研究；针对穿戴电子、显示领域，展开宽禁带氧化物半导体印刷制备、高性能晶体管工艺研发。现有研究队伍人数20人，其中包括教授6名，副教授和副研究员4名，博士后1名。其中“教育部新世纪人才计划入选者1名”、“科技部863重大项目总体专家1名”。科研团队的学科背景涵盖凝聚态物理、材料物理、理论物理、光学、化学、微电子、分析测试等方面。

　　研究中心具备世界一流的科研环境，拥有近1500平方米的洁净实验室场地，拥有5台国际一流的MOCVD外延生长设备，3台用于氧化物半导体的外延生长，2台用于氮化物半导体外延生长；另一台MBE从事氧化物材料研发；拥有包括光刻机、电子束蒸镀、ICP刻蚀、溅射等设备在内的一条完整的工艺线和封装线；拥有半导体参数测试系统两套分别用于高功率和低功率器件表征，以及各种材料表征设备，设备总资产过亿。主要在研项目包括国家重点研发计划2项，广东省第三代半导体重大研发项目3项，广东省应用型研发专项2项，以及国家自然科学基金项目5项，广东省产学研项目等。“工程中心”非常重视自主知识产权的形成和保护，已经申请专利253项，其中126项已获得授权。在国内外重要学术期刊上已经发表论文180余篇。

　　六、合作导师简介

　　裴艳丽教授：中山大学电子与信息学院百人计划引进人才，教授，博士生导师；宽禁带半导体材料与器件工程技术研究中心主任

　　2003年获浙江大学硅材料国家重点实验室硕士学位。2006年末获日本广岛大学半导体集成工学博士学位。2007年4月受聘于日本东北大学国际高等教育研究机构国际高等融合领域研究所，任助理教授。其间，负责或承担了多项日本文部省和日本科技振兴会的项目。2011年5月作为中山大学·百人计划引进人才加入中山大学，现为中山大学电子与信息工程学院教授，博士生导师，宽禁带半导体材料与器件工程技术研究中心主任。主要从事宽禁带氧化物半导体光电器件以及集成方面的研究与开发。在高迁移率氧化物半导体薄膜晶体管、氧化物半导体透明电极及其应用，氧化镓宽禁带半导体外延、器件工艺，基于金属氧化物的存储与计算融合忆阻器等方面积累了大量的研究成果和经验。先后主持了国家自然科学基金委项目、广东省重大研究项目、企业委托项目等多项科研项目，并作为主要负责人参与了国家自然科学基金重点项目、国家863项目、广东省新型研发专项等多项科研项目。近五年发表SCI论文30几篇，授权专利7项。

　　王钢教授：中山大学电子与信息工程学院教授，博士研究生导师；佛山市中山大学研究院院长；教育部2007年度新世纪优秀人才支持计划入选者，科技部“十一五”、“十二五”国家科技重点专项（半导体照明专项）总体专家组专家

　　2001年毕业于日本名古屋工业大学，获得博士学位，主要从事与GaAs，

　　GaN基III-V族化合物半导体材料的MOCVD生长与相关光电子器件制作方面的研究工作。

　　2001年4月至2004年4月，就职于日本富士通量子器件公司，主要从事应用10Gp/s，40Gp/s超高速光通信系统的InP基光电二极管芯片与探测器模块的研究开发工作。

　　2004年5月至今，作为中山大学“百人计划”二层次引进人才，受聘于中山大学光电材料与技术国家重点实验室，从事III-V族化合物半导体材料及相关元器件制备技术方面的研究、教学工作，教育部2007年度新世纪优秀人才支持计划入选者、科技部正式聘请的“十一五”“十二五”国家科技重点专项（半导体照明专项）总体专家组专家、广东省材料研究学会第二届理事会理事、广东省电器照明协会半导体照明专业委员会主任、广东省LED光源标准化技术委员会副主任委员、广东半导体照明工程省部产学研创新联盟理事长。2013年被日本名古屋工业大学聘为该校日本极微器件系统机能研究中心外部评审委员。

　　目前，已累计承担了多项产学研合作重大横向课题，以项目第一负责人承担的横向课题项目金额超过1340万元，为中山大学的产学研合作做出了突出贡献。积极发挥自己的学术影响力，帮助中山大学成功地从海外陆续引进到到岗“百人计划”人才三位，为学校的半导体学科和人才建设做出了突出贡献。自2007年12月担任佛山市中山大学研究院院长以来，领导团队在人才队伍建设、实验室建设以及产学研项目合作等方面开展了出色工作，为佛山市半导体照明企业的技术进步提供了重要支撑，并于2009年12月获得“2008年度南海区科技创新团队奖”，2010年被科学中国人杂志社评为“科学中国人（2010）年度人物”，2012年被授予“佛山市南海区高层次人才（一级）”称号，2013年被日本名古屋工业大学聘为该校日本极微器件系统机能研究中心外部评审委员，被中国产学研合作促进会授予“产学研合作创新奖”。

　　迄今为止，共申请专利191项，其中发明专利152项，累计已授权专利达93项。在国内外重要学术刊物上发表论文107篇，多次参加国内外重要学术会议，并作邀请报告。累计承担各类科研项目67项，包括863、火炬计划、国家自然科学基金、省战略新兴产业项目等。