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复旦大学高分子科学系邓海教授微电子材料课题组2018年3月招聘博士后

2018年03月30日
来源:知识人网整理
摘要:

薪金:年薪 18W+    

     

学历和研究方向:高分子专业(合成)背景的博士  

     

课题组简介  

     

导师简介:  

     

    邓海博士,国家千人特聘专家,复旦大学高分子科学系,聚合物分子工程国家重点实验室,教授,博士生导师,曾任美国陶氏化学公司(前身:罗门哈斯公司)高级研究员(1998-2001)、美国英特尔公司高级主管(2001-2014),东京应用化学公司Fellow2014-2015)。邓海教授拥有丰富的半导体产线和光刻材料的研发经验,并且与国内外半导体厂商关系密切。  

     

主要研究领域有  

     

    主攻10nm以下半导体光刻材料的设计合成及应用。课题组受到科技部02专项和上海市科委的大力支持,拥有完善的光刻材料的合成,表征及性能测试平台。  

     

课题组主页:  

     

http://www.polymer.fudan.edu.cn/polymer/research/denghai/  

     

课题背景简介  

     

    半导体制造中最关键的材料是光刻胶,有多高分辨率的光刻胶就能造出多小的器件。过去的50年内,半导体产业一直沿着Mooreslaw前行。自2003年起,半导体产业进入193nm光刻时代,这是国际上最成熟最先进的光刻技术,并将会一直沿用到10nm的光刻工艺。现在,Intel已经实现了10nm制程的量产。2018年,Intel、台积电和三星微电子都已进入了7nm分辨率的EUV光刻工艺,并将很快进行量产。面对半导体芯片领域向更小、更快和更高密度方向发展的趋势,下一代10~5nm半导体制程的光刻技术和材料已成为半导体行业的研发热点。目前国内以中芯国际为代表的半导体工艺研发也进入了14nm制程,但是国内的光刻材料与全球先进水平相比仍有着极大的差距:国内只能量产低端的i-线光刻材料(国外30年前的产品),国内的光刻胶产业几乎处于空白状态,10nm以下所需的EUVLDSA光刻材料,目前被美国和日本企业所垄断。为了不再受制于人,我国急需研发探索10纳米以下的下一代光刻材料来打破了技术壁垒,实现弯道超车。上海市和北京市现已立项研发10nm以下分辨率的DSA材料。目前本组已研发出世界上最快速自组装的、5nm超高分辨率的DSA材料,该成果已发表在SPIE(美国光电协会)等国际会议上,目前已申请了若干中国及美国专利。  

     

招聘基本要求  

     

由于科研工作需要,本课题组招聘博士后研究员12名,进行10纳米以下的下一代光刻材料的研究,具体要求如下:  

     

1、具有高分子专业(合成)背景、有机全合成背景或有高分子合成研究工作经验的博士(应届的或者有工作经验的)。  

     

2、具有良好的英文阅读和写作能力,能快速查阅外文文献,已发表过相关领域英文论文。  

     

3、需要具有一定的指导学生的能力。将会带领在读的硕士、博士生进行项目攻关,身体力行地带领团队研发出新型的高分辨率DSA或含金属EUV光刻材料。  

     

4.性格开朗,有个人魅力。最好是体育爱好者。  

     

个人待遇  

     

    课题组为入选者提供优越的科研条件和稳定的支持,按照复旦大学有关博士后的规定提供相应个人待遇,课题组根据研究进展和贡献给予补贴,年薪18万起。住房:复旦大学根据申请者要求,提供学校附近一室或二室住房,租金约为市场价格一半。  

     

应聘申请材料  

     

请应聘者将申请材料(简历和代表论文全文)发至yuyunliu@fudan.edu.cn  

     

邮件标题注明:应聘博士后+本人姓名。  

     

招聘时间  

     

申请时间为20183~6月。